Моделирование МОП транзисторов AdMos seminar 1
- Необходимые тестовые структуры
- Измерения: Измерения при постоянном токе, емкость, S-параметры, шум
- Имитационные модели: BSIM3, BSIM4, BSIM4, BSIMSOI, PSP, HiSIM HV
- Экстракция параметров модели
- Высокочастотное моделирование
- (2-3 дня)
