USD: 73.04 EUR: 86.62 CHF: 80.40 (ЦБ РФ)
(495) 941-03-26
Работаем с 10.00 до 18.00 МСК

Моделирование МОП транзисторов AdMos seminar 1

  • Необходимые тестовые структуры
  • Измерения: Измерения при постоянном токе, емкость, S-параметры, шум
  • Имитационные модели: BSIM3, BSIM4, BSIM4, BSIMSOI, PSP, HiSIM HV
  • Экстракция параметров модели
  • Высокочастотное моделирование
  • (2-3 дня)
Цена: По запросу
Наличие: Уточняйте

Похожие приборы